CJD01N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJD01N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 13.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJD01N80

CJD01N80 Datasheet (PDF)

..1. Size:374K jiangsu
cjd01n80.pdf

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8.1. Size:289K jiangsu
cjd01n60.pdf

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8.2. Size:386K jiangsu
cjd01n65b.pdf

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History: 2SK2251-01

Liste

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