SDF9N100JEC-S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF9N100JEC-S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO254

 Búsqueda de reemplazo de SDF9N100JEC-S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SDF9N100JEC-S datasheet

 6.1. Size:162K  solitron
 sdf9n100.pdf pdf_icon

SDF9N100JEC-S

 6.2. Size:159K  solitron
 sdf9n100gaf.pdf pdf_icon

SDF9N100JEC-S

 6.3. Size:57K  solitron
 sdf9n100sxh.pdf pdf_icon

SDF9N100JEC-S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SDF9N100GAF-U, SDF9N100JEA-D, SDF9N100JEA-S, SDF9N100JEA-U, SDF9N100JEB-D, SDF9N100JEB-S, SDF9N100JEB-U, SDF9N100JEC-D, IRFP250N, SDF9N100JEC-U, SDF9N100JED-D, SDF9N100JED-S, SDF9N100JED-U, SDF9N100SXH, SDF9NA80, SDFC30JAA, SDFC30JAB