CJP12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJP12N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJP12N65
CJP12N65 Datasheet (PDF)
cjp12n65.pdf
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig
cjp12n60.pdf
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N60 600V N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withistand 1. GATE high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices
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