CJV01N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJV01N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.625 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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CJV01N65B Datasheet (PDF)
cjv01n65b.pdf
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cjv01n60.pdf
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