CTLDM7002A-M621 Todos los transistores

 

CTLDM7002A-M621 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTLDM7002A-M621
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TLM621
 

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CTLDM7002A-M621 Datasheet (PDF)

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CTLDM7002A-M621

CTLDM7002A-M621SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETCTLDM7002A-M621 is a Silicon N-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, TLM 2x1mm package.MARKING CODE: CPTLM621 CASE FEATURES: Low rDS(ON) Device is Halogen Free by design Low VDS(ON)APPLICATIONS: Low

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CTLDM7002A-M621

CTLDM7002A-M621HSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7002A-M621HSILICON MOSFETis a very low profile (0.4mm) Silicon N-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, 1.5mm x 2mm TLM package.MARKING CODE: CNDFEATURES:TLM621H CASE Low rDS(ON) Device is Halogen Free by design

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 ctldm7003-m621.pdf pdf_icon

CTLDM7002A-M621

CTLDM7003-M621SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7003-M621 SILICON MOSFETis a Silicon N-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, TLM 2x1mm package.MARKING CODE: CSFEATURES:TLM621 CASE ESD Protection up to 2kV Low rDS(ON) Device is Halogen Free by design Low Th

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History: STW26NM60 | HAT1108C | IPA105N15N3 | 2SK2959 | CSD16325Q5

 

 
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