DE475-501N44A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DE475-501N44A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1800 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: DE475

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DE475-501N44A

DE475-501N44A Datasheet (PDF)

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de475-501n44a.pdf

DE475-501N44A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 500 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 48 A 30MHz Maximum Frequency RDS(on) 0.13 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 1800W TJ = 25C to 150C VDSS 500 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V

8.1. Size:141K ixys
de475-102n20a.pdf

DE475-102N20A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 1000 V High dv/dt ID25 = 20 A Nanosecond Switching RDS(on) 0.6 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 1800W TJ = 25C to 150C VDSS 1000 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V Transient VGSM 30 V Tc = 25C ID25

8.2. Size:141K ixys
de475-102n21a.pdf

DE475-102N21A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt VDSS = 1000 V Nanosecond Switching ID25 = 24 A 30MHz Maximum Frequency RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.45 TJ = 25C to 150C VDSS 1000 V PDC = 1800W TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: