DI9435T Todos los transistores

 

DI9435T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DI9435T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de DI9435T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DI9435T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  diodes
 di9435t.pdf pdf_icon

DI9435T

DI9435SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0.

 9.1. Size:74K  diodes
 di9430t.pdf pdf_icon

DI9435T

DI9430SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0

Otros transistores... DE375-102N12A , DE375-501N21A , DE475-102N20A , DE475-102N21A , DE475-501N44A , DI9400T , DI9405 , DI9430T , 8N60 , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , DK64N90 , DK64N90B , DK64N90F .

History: SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED

 

 
Back to Top

 


 
.