SFF9240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF9240
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 46 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 207 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF9240
SFF9240 Datasheet (PDF)
sff9240.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -7.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 0.344 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic
sff924028.pdf
SENSITRON SHD226409 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 582, REV. - HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL FEATURES: -100 Volt, 0.21 Ohm, -13A MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Equivalent to IRFY9140 Series MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLT
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