DMC1017UPD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMC1017UPD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 297 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMC1017UPD

DMC1017UPD Datasheet (PDF)

..1. Size:446K diodes
dmc1017upd.pdf

DMC1017UPDCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications ID Device V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 17m @ VGS = 4.5V 9.5A Q1 12V Low Input Capacitance 25m @ VGS = 2.5V 7.8A Fas

9.1. Size:589K diodes
dmc1028ufdb.pdf

DMC1028UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Device BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 25m @ VGS = 4.5V 6.0A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 12V 30m @ VGS = 3.3V 5.5A ESD HBM Protected up to 1.5KV, MM Protected up to 150V. N-Channel 32m @ VGS = 2.5V 5.3A Totally Lea

9.2. Size:307K diodes
dmc1029ufdb.pdf

DMC1029UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 Low Input Capacitance C 29m @ VGS = 4.5V 5.6A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Haloge

9.3. Size:347K diodes
dmc1030ufdb.pdf

DMC1030UFDBCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID MAX Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 34m @ VGS = 4.5V 5.1A ESD Protected Gate 40m @ VGS = 2.5V 4.7A Q1 12V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) N-Channel 50m @ VGS

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Liste

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