DMG302PU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG302PU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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DMG302PU datasheet

 ..1. Size:279K  diodes
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DMG302PU

DMG302PU 25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 10 @ VGS = -4.5V -0.17A -25V Low Input Capacitance 13 @ VGS = -2.7V -0.15A Fast Switching Speed Small Surfaced Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) This new

 9.1. Size:474K  diodes
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DMG302PU

DMG301NU 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.26A 25V Low Input Capacitance 5 @ VGS = 2.7V 0.23A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally Lead

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