DMG3406L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG3406L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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DMG3406L datasheet

 ..1. Size:617K  diodes
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DMG3406L

 8.1. Size:525K  diodes
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DMG3406L

 8.2. Size:281K  diodes
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DMG3406L

DMG3402L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 52m @ VGS = 10V 4A Fast Switching Speed 30V 65m @ VGS = 4.5V 3A Low Input/Output Leakage 85m @ VGS = 2.5V 2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

 8.3. Size:186K  diodes
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DMG3406L

DMG3401LSN 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) max Low On-Resistance TA = 25 C Low Input/Output Leakage 50m @ VGS = -10V -3.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -30V 60m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 85m @ VGS =

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