2SK1496 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1496
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de 2SK1496 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SK1496 datasheet
2sk1493-z 2sk1494-z.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Otros transistores... 2SK1483 , 2SK1484 , 2SK1485 , 2SK1491 , 2SK1492 , 2SK1493 , 2SK1494 , 2SK1495 , RFP50N06 , 2SK1497 , 2SK1498 , 2SK1499 , 2SK1500 , 2SK1501 , 2SK1502 , 2SK1549-R , 2SK1553-01MR .
History: AS2102W | RZQ045P01TR
History: AS2102W | RZQ045P01TR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet
