DMN33D8LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN33D8LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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DMN33D8LT datasheet

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DMN33D8LT

DMN33D8LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low On-Resistance 5 @ VGS = 4V 200 mA Low Input Capacitance 30V 7 @ VGS = 2.5V 115 mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

 6.1. Size:284K  diodes
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DMN33D8LT

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DMN33D8LT

DMN33D8LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 6.3. Size:265K  diodes
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DMN33D8LT

DMN33D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

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