DMN33D8LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN33D8LT
   Código: 3LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN33D8LT

DMN33D8LT Datasheet (PDF)

..1. Size:247K diodes
dmn33d8lt.pdf

DMN33D8LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance5 @ VGS = 4V 200 mA Low Input Capacitance 30V 7 @ VGS = 2.5V 115 mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

6.1. Size:284K diodes
dmn33d8ldw.pdf

DMN33D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 250 mA ESD Protected Gate to 2kV 30V 5 @ VGS = 4.0V 200 mA Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 7 @ VGS = 2.5V 100 mA

6.2. Size:284K diodes
dmn33d8lv.pdf

DMN33D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

6.3. Size:265K diodes
dmn33d8l.pdf

DMN33D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUZ906P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: