DMN5L06DMKQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN5L06DMKQ
   Código: DAB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.305 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN5L06DMKQ

DMN5L06DMKQ Datasheet (PDF)

..1. Size:575K diodes
dmn5l06dmkq.pdf

DMN5L06DMKQ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 2.0 @ VGS = 5V 305mA Fast Switching Speed 50V 2.5 @ VGS = 2.5V 280mA Low Input/Output Leakage 3.0 @ VGS = 1.8V 265mA ESD Protected up to

4.1. Size:270K diodes
dmn5l06dmk.pdf

DMN5L06DMKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capaci

6.1. Size:367K diodes
dmn5l06dwk.pdf

DMN5L06DWKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance (1.0V max) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capac

6.2. Size:243K diodes
dmn5l06dw.pdf

DMN5L06DWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: