SFI9Z24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFI9Z24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 15 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFI9Z24

SFI9Z24 Datasheet (PDF)

..1. Size:281K fairchild semi
sfi9z24 sfw9z24.pdf

SFW/I9Z24Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -9.7 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)112331. Gate

9.1. Size:279K fairchild semi
sfi9z14 sfw9z14.pdf

SFW/I9Z14Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -6.7 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)112331. Gate

9.2. Size:216K samsung
sfi9z34.pdf

SFW/I9Z34Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)112331. Gate 2. Dra

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Liste

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