DMP1045UFY4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP1045UFY4
   Código: 15P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: X2-DFN2015-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP1045UFY4

DMP1045UFY4 Datasheet (PDF)

..1. Size:189K diodes
dmp1045ufy4.pdf

DMP1045UFY4P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25C Fast Switching Speed 32m@ VGS = -4.5V -5.5A Low Input/Output Leakage -12V 45m@ VGS = -2.5V -4.5A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 75m@ VGS = -1.8V -3.2A

6.1. Size:391K diodes
dmp1045u.pdf

DMP1045U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 31m @ VGS = -4.5V 5.2A -12V Low Input/Output Leakage 45m @ VGS =-2.5V 4.3A ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Ha

6.2. Size:81K tysemi
dmp1045u.pdf

Product specification DMP1045UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) maxTA = 25C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 31m@ VGS = -4.5V 5.2A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) -12V 4.3A 45m@ VGS =-2.5V ESD Protected Up To

8.1. Size:357K diodes
dmp1046ufdb.pdf

DMP1046UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 61m @ VGS = -4.5V -3.8A P-Channel -12V 81m @ VGS = -2.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 115m @ VGS = -1.8V -2.8A Halogen and

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CJB01N65B | BL3N100E-P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: