DMP1046UFDB Todos los transistores

 

DMP1046UFDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP1046UFDB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6
 

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DMP1046UFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  diodes
 dmp1046ufdb.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1046UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 61m @ VGS = -4.5V -3.8A P-Channel -12V 81m @ VGS = -2.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 115m @ VGS = -1.8V -2.8A Halogen and

 8.1. Size:189K  diodes
 dmp1045ufy4.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1045UFY4P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25C Fast Switching Speed 32m@ VGS = -4.5V -5.5A Low Input/Output Leakage -12V 45m@ VGS = -2.5V -4.5A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 75m@ VGS = -1.8V -3.2A

 8.2. Size:391K  diodes
 dmp1045u.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1045U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 31m @ VGS = -4.5V 5.2A -12V Low Input/Output Leakage 45m @ VGS =-2.5V 4.3A ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Ha

 8.3. Size:81K  tysemi
 dmp1045u.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

Product specification DMP1045UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) maxTA = 25C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 31m@ VGS = -4.5V 5.2A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) -12V 4.3A 45m@ VGS =-2.5V ESD Protected Up To

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History: IPSA70R600P7S | NTD78N03 | LSG65R380GT | SFF40N10-28 | CSD18536KCS | CS12N65A8H | STU456A

 

 
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