DMP1046UFDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMP1046UFDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm

Encapsulados: U-DFN2020-6

 Búsqueda de reemplazo de DMP1046UFDB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DMP1046UFDB datasheet

 ..1. Size:357K  diodes
 dmp1046ufdb.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1046UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 61m @ VGS = -4.5V -3.8A P-Channel -12V 81m @ VGS = -2.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 115m @ VGS = -1.8V -2.8A Halogen and

 8.1. Size:189K  diodes
 dmp1045ufy4.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1045UFY4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25 C Fast Switching Speed 32m @ VGS = -4.5V -5.5A Low Input/Output Leakage -12V 45m @ VGS = -2.5V -4.5A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 75m @ VGS = -1.8V -3.2A

 8.2. Size:391K  diodes
 dmp1045u.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

DMP1045U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 31m @ VGS = -4.5V 5.2A -12V Low Input/Output Leakage 45m @ VGS =-2.5V 4.3A ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Ha

 8.3. Size:81K  tysemi
 dmp1045u.pdf pdf_icon

DMP1046UFDB

Product specification DMP1045U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25 C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 31m @ VGS = -4.5V 5.2A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) -12V 4.3A 45m @ VGS =-2.5V ESD Protected Up To

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... DMN65D8LW, DMN7022LFG, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9, DMP1018UCB9, DMP1022UFDE, DMP1022UFDF, DMP1045UFY4, IRFP260N, DMP1055UFDB, DMP1080UCB4, DMP1096UCB4, DMP10H400SK3, DMP1200UFR4, DMP1245UFCL, DMP1555UFA, DMP2002UPS