DMP1200UFR4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMP1200UFR4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: X2-DFN1010-3

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DMP1200UFR4 datasheet

 ..1. Size:413K  diodes
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DMP1200UFR4

DMP1200UFR4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C ESD Protected Gate Low Input/Output Leakage 100m @ VGS = -4.5 V -2A Fast Switching Speed 160m @ VGS = -2.5V -1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -12V Halogen and Antimony Free. Gre

 9.1. Size:213K  diodes
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DMP1200UFR4

A Product Line of Diodes Incorporated DMP1245UFCL 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 29m @VGS = -4.5V -6.6 A PCB footprint of 2.56mm2 45m @VGS = -2.5V -5.3 A 3kV ESD Protected

 9.2. Size:996K  kexin
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DMP1200UFR4

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET DMP1260 (KMP1260) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A 1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V) +0.1 1.9 -0.1 1. Gate Drain 2. Source 3. Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R

Otros transistores... DMP1022UFDE, DMP1022UFDF, DMP1045UFY4, DMP1046UFDB, DMP1055UFDB, DMP1080UCB4, DMP1096UCB4, DMP10H400SK3, AON6414A, DMP1245UFCL, DMP1555UFA, DMP2002UPS, DMP2006UFG, DMP2007UFG, DMP2008UFG, DMP2018LFK, DMP2021UFDF