DMP1200UFR4 Todos los transistores

 

DMP1200UFR4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP1200UFR4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: X2-DFN1010-3
 

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DMP1200UFR4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  diodes
 dmp1200ufr4.pdf pdf_icon

DMP1200UFR4

DMP1200UFR4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C ESD Protected Gate Low Input/Output Leakage 100m @ VGS = -4.5 V -2A Fast Switching Speed 160m @ VGS = -2.5V -1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -12V Halogen and Antimony Free. Gre

 9.1. Size:213K  diodes
 dmp1245ufcl.pdf pdf_icon

DMP1200UFR4

A Product Line of Diodes IncorporatedDMP1245UFCL 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 29m @VGS = -4.5V -6.6 A PCB footprint of 2.56mm2 45m @VGS = -2.5V -5.3 A 3kV ESD Protected

 9.2. Size:996K  kexin
 dmp1260.pdf pdf_icon

DMP1200UFR4

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETDMP1260 (KMP1260)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.11. GateDrain2. Source3. DrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

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History: SM6A17NSF | OSG60R2K2DSF | 7NM65G-TN3-R | DHBZ24B31 | NCE6042AG | 2SJ181 | BL3N150-F

 

 
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