DMP1200UFR4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP1200UFR4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: X2-DFN1010-3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP1200UFR4
DMP1200UFR4 Datasheet (PDF)
dmp1200ufr4.pdf
DMP1200UFR4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C ESD Protected Gate Low Input/Output Leakage 100m @ VGS = -4.5 V -2A Fast Switching Speed 160m @ VGS = -2.5V -1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -12V Halogen and Antimony Free. Gre
dmp1245ufcl.pdf
A Product Line of Diodes IncorporatedDMP1245UFCL 12V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin V(BR)DSS RDS(on) max ID max applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 29m @VGS = -4.5V -6.6 A PCB footprint of 2.56mm2 45m @VGS = -2.5V -5.3 A 3kV ESD Protected
dmp1260.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETDMP1260 (KMP1260)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.11. GateDrain2. Source3. DrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
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History: PSMN012-60YS
History: PSMN012-60YS
Liste
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