SFM9210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFM9210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFM9210

SFM9210 Datasheet (PDF)

..1. Size:203K fairchild semi
sfm9210.pdf

SFM9210Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -0.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -200V2 Lower RDS(ON) : 2.25 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

8.1. Size:959K samsung
sfm9214.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -0.45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Lower RDS(ON) : 3.5 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

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Liste

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