DMP2160UFDBQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMP2160UFDBQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.09 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: U-DFN2020-6

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DMP2160UFDBQ datasheet

 ..1. Size:332K  diodes
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DMP2160UFDBQ

DMP2160UFDBQ DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage, -0.9V Max -3.8A 70m @ VGS = -4.5V Fast Switching Speed -20V 85m @ VGS = -2.5V -3.3A Low Input/Output Leakage Low Profile, 0.5mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compli

 3.1. Size:143K  diodes
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DMP2160UFDBQ

DMP2160UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case DFN2020B-6 70m @VGS = -4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 85m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 6.1. Size:128K  diodes
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DMP2160UFDBQ

DMP2160U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 80 m @ VGS = -4.5V TA = 25 C 100 m @ VGS = -2.5V 80m @ VGS = -4.5V -3.2A 140 m @ VGS = -1.8V -20V Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 1V 140m @ VGS = -1.8V -2.4A Low Input Capacitance Fast Swit

 6.2. Size:126K  diodes
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DMP2160UFDBQ

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