SFM9214 Todos los transistores

 

SFM9214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFM9214
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SFM9214 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  samsung
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SFM9214

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -0.45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Lower RDS(ON) : 3.5 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 8.1. Size:203K  fairchild semi
 sfm9210.pdf pdf_icon

SFM9214

SFM9210Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -0.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -200V2 Lower RDS(ON) : 2.25 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

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