SFP2955 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP2955
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SFP2955 Datasheet (PDF)
..1. Size:250K fairchild semi
sfp2955.pdf
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SFP2955Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.4 A Improved Gate Charge 175oC Opereting TemperatureTO-220 Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.22 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolu
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