DMP3028LK3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMP3028LK3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMP3028LK3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

DMP3028LK3 datasheet

..1. Size:416K diodes
dmp3028lk3.pdf pdf_icon

DMP3028LK3 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test In Production V(BR)DSS RDS(on) TC = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 25m @ VGS = -10V -27A -30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Note 1 & 2) 38m @ VGS = -4.5V -22A Halogen and Antimony Free. Green Devi

..2. Size:265K inchange semiconductor
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isc P-Channel MOSFET Transistor DMP3028LK3 FEATURES Drain Current I = -27A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 25m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

6.1. Size:404K diodes
dmp3028lfde.pdf pdf_icon

DMP3028LFDE 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance 25m @ VGS = -10V -6.8A -30V Fast Switching Speed -5.0A 38m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descripti

6.2. Size:234K diodes
dmp3028lsd.pdf pdf_icon

DMP3028LSD Maximum Ratings (@TA = +25 C, unless otherwise specified.) Characteristic Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDSS -30 V Gate-Source Voltage 20 V VGSS Steady TA = +25 C -6 ID A State -4.7 TA = +70 C Continuous Drain Current (Note 5) VGS = 10V TA = +25 C -7.4 t

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