DMP3036SSS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMP3036SSS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMP3036SSS datasheet

 ..1. Size:371K  diodes
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DMP3036SSS

 5.1. Size:382K  diodes
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DMP3036SSS

DMP3036SSD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25 C Low Input Capacitance 20m @ VGS = -10V -18.0A -30V Fast Switching Speed -15.0A 29m @ VGS = -5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

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DMP3036SSS

DMP3036SFG 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized. V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products. 20m @ VGS = -10V - 8.7 A -30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enab

 6.2. Size:537K  diodes
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DMP3036SSS

DMP3036SFV 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25 C Density End Products 20m @ VGS = -10V Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -30V -30A 29m

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