DMP58D0LFB Todos los transistores

 

DMP58D0LFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP58D0LFB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 84.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: X1-DFN1006-3
 

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DMP58D0LFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  diodes
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DMP58D0LFB

DMP58D0LFBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed -50V 8 @ VGS = -5V X1-DFN1006-3 -310A Low Input/Output Leakage ESD Protected 1kV Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.

 7.1. Size:140K  diodes
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DMP58D0LFB

DMP58D0SVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-563 ESD Protected Gate to 500V Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Leve

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