DMS2085LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMS2085LSD
   Código: S2085LD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMS2085LSD

DMS2085LSD Datasheet (PDF)

..1. Size:298K diodes
dms2085lsd.pdf

DMS2085LSDP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) max ID85m @ VGS = -10V -3.3A Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop -20V 125m @ VGS = -4.5V -2.8A Fast Switching Speed SCHOTTKY DIO

9.1. Size:302K diodes
dms2095lfdb.pdf

DMS2095LFDBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) minimize conduction losses V(BR)DSS RDS(on) max ID Low Gate Threshold Voltage, -1.3V Max Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop 95m @ VGS = -4.5V -3.4A Low Profile, 0.5mm Max Height -20V 120m @ VGS = -2.5

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: