DMS2085LSD Todos los transistores

 

DMS2085LSD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMS2085LSD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMS2085LSD datasheet

 ..1. Size:298K  diodes
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DMS2085LSD

DMS2085LSD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) max ID 85m @ VGS = -10V -3.3A Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop -20V 125m @ VGS = -4.5V -2.8A Fast Switching Speed SCHOTTKY DIO

 9.1. Size:302K  diodes
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DMS2085LSD

DMS2095LFDB P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) minimize conduction losses V(BR)DSS RDS(on) max ID Low Gate Threshold Voltage, -1.3V Max Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop 95m @ VGS = -4.5V -3.4A Low Profile, 0.5mm Max Height -20V 120m @ VGS = -2.5

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History: JMSH2010PTL | DMTH8012LK3 | 2SK1632

 

 

 

 

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