DN2450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN2450
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 SOT-89
Búsqueda de reemplazo de DN2450 MOSFET
DN2450 Datasheet (PDF)
dn2450.pdf
Supertex inc. DN2450N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description High input impedance These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and Supertexs well- Low input capacitanceproven silicon-gate manufacturing process. This combination Fast switching speedsproduces devices with the
Otros transistores... DMT6008LFG , DMT6010LFG , DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 , K3569 , DN2470 , DN2530 , DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 .
History: AOI7N65 | NTMFS5C673NL | CS4N150VF | HCCZ120R080H1 | AOK29S50 | SSE110N03-03P | BUK964R1-40E
History: AOI7N65 | NTMFS5C673NL | CS4N150VF | HCCZ120R080H1 | AOK29S50 | SSE110N03-03P | BUK964R1-40E
Liste
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