SFP9624 Todos los transistores

 

SFP9624 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP9624
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP9624 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  samsung
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SFP9624

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) : 1.65 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

 8.1. Size:497K  samsung
 sfp9620.pdf pdf_icon

SFP9624

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) : 1.111 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 9.1. Size:222K  fairchild semi
 sfp9640l.pdf pdf_icon

SFP9624

SFP9640LAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitancesID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : -10uA (Max.) @ VDS= -200V Lower RDS(ON) : 0.383 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maxim

 9.2. Size:503K  samsung
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SFP9624

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1. 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) : 3.5 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

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