DN2625 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DN2625
   Código: D2625D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.04 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 DFN QFN

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DN2625 Datasheet (PDF)

..1. Size:798K supertex
dn2625.pdf

Supertex inc.DN2625N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET in Single and Dual OptionsFeatures General Description Very low gate threshold voltage The Supertex DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS Designed to be source-drivenstructure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Low switch

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Liste

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