IPP070N08N3 Todos los transistores

 

IPP070N08N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP070N08N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP070N08N3 datasheet

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IPP070N08N3

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G IPB067N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

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IPP070N08N3

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IPP070N08N3

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IPP070N08N3

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History: G33N03D3 | APT10026L2FLL | BRF5N50

 

 

 

 

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