SFS9530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFS9530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFS9530

SFS9530 Datasheet (PDF)

..1. Size:503K samsung
sfs9530.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati

9.1. Size:502K samsung
sfs9510.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.5 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

9.2. Size:493K samsung
sfs9520.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -4.6 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

9.3. Size:501K samsung
sfs9540.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.7 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

Otros transistores... SFR9130 , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 , SFR9224 , SFS2955 , SFS9510 , SFS9520 , 5N50 , SFS9540 , SFS9610 , SFS9614 , SFS9620 , SFS9624 , SFS9630 , SFS9634 , SFS9640 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: