2N7089 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7089
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7089
2N7089 Datasheet (PDF)
2n7086.pdf
2N7086MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)NCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS 200V1 2 3ID(A) 14ARDS(on) 0.160.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILI
2n7081-220m-iso 2n7081.pdf
2N7081220MISOMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)NCHANNELPOWER MOSFET4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)VDSS 100V3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)ID(cont) 11ARDS(on) 0.151 2 3FEATURES TO220 ISOLATED HERMETIC PACKAGE LOW RDS(ON)0.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035) SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
2n7085.pdf
2N7085MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)NCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS 100V1 2 3ID(A) 20ARDS(on) 0.0750.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILITY APPL
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
