2N7269 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7269

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-254AA

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2N7269 datasheet

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2N7269

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/603 DEVICES LEVELS 2N7269 2N7269U JANSR (100K RAD(Si)) JANSF (300K RAD(Si)) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/601 DEVICES LEVELS 2N7262 2N7262U JANSR (100K RAD(Si)) JANSF (300K RAD(Si)) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol

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2N7269

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