2N7269 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7269
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 170 nC
Tiempo de subida (tr): 140 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7269
2N7269 Datasheet (PDF)
2n7269 2n7269u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/603 DEVICES LEVELS 2N7269 2N7269U JANSR (100K RAD(Si)) JANSF (300K RAD(Si))ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol
2n7268 2n7268u.pdf
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2n7262 2n7262u.pdf
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