2N7381 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7381
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 9.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Tiempo de elevación (tr): 50 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-257AA
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2N7381 Datasheet (PDF)
1.1. 2n7381.pdf 
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7381 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si)) JANSR (100K RAD(Si)) JANSF (300K RAD(Si)) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted) Pa
5.1. 2n7380.pdf Size:134K _update-mosfet
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7380 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si)) JANSR (100K RAD(Si)) JANSF (300K RAD(Si)) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted) Pa
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