2N7381 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N7381
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7381

2N7381 Datasheet (PDF)

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2n7381.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7381 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si))JANSR (100K RAD(Si))JANSF (300K RAD(Si))ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Pa

9.1. Size:134K microsemi
2n7380.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7380 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si))JANSR (100K RAD(Si))JANSF (300K RAD(Si))ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Pa

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Liste

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