FHF5N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHF5N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO220F
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FHF5N60 datasheet
Otros transistores... 2N7335 , 2N7335E3 , 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , 50N06 , MDD1654 , NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN .
History: S10H18R | AUIRF7343Q | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | 60NM60G-T47 | WMM28N60F2
History: S10H18R | AUIRF7343Q | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | 60NM60G-T47 | WMM28N60F2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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