SVS5N70MU Todos los transistores

 

SVS5N70MU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS5N70MU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO-251U

 Búsqueda de reemplazo de SVS5N70MU MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVS5N70MU datasheet

 ..1. Size:465K  silan
 svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A 700V MOS 2 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 1 1 2 3 3 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

 6.1. Size:414K  silan
 svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

 7.1. Size:481K  silan
 svs5n70.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan s DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

 9.1. Size:453K  silan
 svs5n65fd2 svs5n65dd2tr svs5n65fjhd2.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F , IRFB4227 , WFP85N06 , 2N5653 , 2N5654 , 2N60A , 2N60AF , 2N60G , 2N6568 , 2N6659-2 .

History: WFD7N65L | WMM053NV8HGS | WMM10N70C4 | WMP15N65C2 | WMM25N80M3 | CJAC100SN08U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.