SVS5N70MU Todos los transistores

 

SVS5N70MU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS5N70MU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251U
 

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SVS5N70MU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  silan
 svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A700VMOS 2SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 11 233SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

 6.1. Size:414K  silan
 svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2

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SVS5N70MU

SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

 9.1. Size:453K  silan
 svs5n65fd2 svs5n65dd2tr svs5n65fjhd2.pdf pdf_icon

SVS5N70MU

SVS5N65F(D)(FJH)D2 5A, 650V MOS 2SVS5N65F(D)(FJH)D2 N MOSFET MOS 1 1233TO-220FJH-3LSVS5N65F(D)(FJH)D2

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History: FS30ASJ-06F | SIHA21N60EF | 3N80 | 1N80 | SVS5N70MN | CS6N60A3HDY | 2SK1570

 

 
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