2N6782U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N6782U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6782U

2N6782U Datasheet (PDF)

..1. Size:96K microsemi
2n6782u.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/556 DEVICES LEVELS JAN 2N6782 2N6782UJANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltag

8.1. Size:102K 1
2n6781 2n6782.pdf

8.2. Size:131K international rectifier
2n6782 irff110.pdf

PD - 90423CIRFF110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6782THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF110 100V .60 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

8.3. Size:23K semelab
2n6782.pdf

2N6782MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL 8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)POWER MOSFET8.51 (0.335)4.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)APPLICATIONS7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia. FAST SWITCHING MOTOR CONTROLS5.08 (0.200)typ. POWER SUPPLIES2.542(0.100)1 30.66 (0.026)1.14 (0.045)0.71 (0.028)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: