2N6800LCC4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6800LCC4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: LCC4
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2N6800LCC4 datasheet
2n6800 irff330.pdf
PD - 90432C IRFF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6800 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF330 400V 1.0 3.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf
2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTIO
2n6800.pdf
2N6800 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET BVDSS 400V ID 3.0A RDS(on) 1.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED
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History: AP9970AGP | SGSP351 | AP09N70P-H-LF | RCJ220N25 | SSM3K7002CFU
History: AP9970AGP | SGSP351 | AP09N70P-H-LF | RCJ220N25 | SSM3K7002CFU
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