SFS9Z34 Todos los transistores

 

SFS9Z34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFS9Z34
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFS9Z34 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  samsung
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SFS9Z34

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -12 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati

 9.1. Size:231K  fairchild semi
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SFS9Z34

SFS9Z14Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source

 9.2. Size:281K  fairchild semi
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SFS9Z34

SFS9Z24Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -7.5 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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