SFS9Z34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFS9Z34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 265 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFS9Z34
SFS9Z34 Datasheet (PDF)
sfs9z34.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -12 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati
sfs9z14.pdf
SFS9Z14Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source
sfs9z24.pdf
SFS9Z24Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -7.5 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc
Otros transistores... SFS9620 , SFS9624 , SFS9630 , SFS9634 , SFS9640 , SFS9644 , SFS9Z14 , SFS9Z24 , IRF840 , SFU2955 , SFU9014 , SFU9024 , SFU9034 , SFU9110 , SFU9120 , SFU9130 , SFU9210 .
