24N50B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 24N50B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO-3PB
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24N50B datasheet
24n50b 24n50c.pdf
RoHS 24N50 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 24A, 500Volts DESCRIPTION D The Nell 24N50 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 24A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G
ixgh24n50bu1 ixgh24n60bu1.pdf
VCES IC(25) VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT 500 V 48 A 2.3 V 80 ns IXGH24N50BU1 with Diode 600 V 48 A 2.5 V 80 ns IXGH24N60BU1 Combi Pack Preliminary data TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings 24N50 24N60 C (TAB) VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate, C = Collector, E
ixgh24n50b ixgh24n60b.pdf
VCES IC(25) VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT IXGH24N50B 500 V 48 A 2.3 V 80 ns 600 V 48 A 2.5 V 80 ns IXGH24N60B Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD 24N50 24N60 VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C48 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 9
Otros transistores... 1HP04CH , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A , K2611 , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , BFD63 , BFD71 .
History: FDD6644
History: FDD6644
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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