24N50B Todos los transistores

 

24N50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 24N50B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB
 

 Búsqueda de reemplazo de 24N50B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

24N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  nell
 24n50b 24n50c.pdf pdf_icon

24N50B

RoHS 24N50 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET24A, 500VoltsDESCRIPTIOND The Nell 24N50 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 24A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

 0.1. Size:133K  ixys
 ixgh24n50bu1 ixgh24n60bu1.pdf pdf_icon

24N50B

VCES IC(25) VCE(sat) tfiHiPerFASTTM IGBT500 V 48 A 2.3 V 80 nsIXGH24N50BU1with Diode600 V 48 A 2.5 V 80 nsIXGH24N60BU1Combi PackPreliminary dataTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings24N50 24N60C (TAB)VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 VGVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG = Gate, C = Collector,E

 0.2. Size:118K  ixys
 ixgh24n50b ixgh24n60b.pdf pdf_icon

24N50B

VCES IC(25) VCE(sat) tfiHiPerFASTTM IGBTIXGH24N50B 500 V 48 A 2.3 V 80 ns600 V 48 A 2.5 V 80 nsIXGH24N60BPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD24N50 24N60VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V CEIC25 TC = 25 C48 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 9

 0.3. Size:152K  ssdi
 sff24n50b.pdf pdf_icon

24N50B

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 1HP04CH , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A , IRF9640 , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , BFD63 , BFD71 .

History: MSC37N03 | IRF742FI | RUH008N15M-C | NDPL100N10BG | WML10N65EM | IRF9358 | SSL60R099SFD

 

 
Back to Top

 


 
.