BFC60 Todos los transistores

 

BFC60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFC60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BFC60 datasheet

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BFC60

BFC60 SEME LAB N CHANNEL TO220 AC Package Outline. Dimensions in mm (inches) ENHANCEMENT MODE 10.67 (0.420) 9.65 (0.380) 4.83 (0.190) 5.33 (0.210) 3.56 (0.140) HIGH VOLTAGE 4.83 (0.190) 2 1.40 (0.020) 0.51 (0.055) 3.05 (0.120) ISOLATED 2.54 (1.000) 3.73 (0.147) 3.53 (0.139)Dia. POWER MOSFETS 1 2 3 VDSS 1500V ID(cont) 0.1A 1.78 (0.070) 0.99 (0.390) RDS(on)

Otros transistores... 20N60A , 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , 60N06 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 .

History: WMP10N65C4 | FDD6030BL | BFD77 | 2N6659X | WMK4N150D1 | 2SK1835

 

 

 

 

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