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2SK2020-01MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2020-01MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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2SK2020-01MR Datasheet (PDF)

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2SK2020-01MR

N-channel MOS-FET2SK2020-01MRFAP-IIA Series 500V 3 3,5A 30W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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2SK2020-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2020-01MRDESCRIPTIONDrain Current I = 3.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 4.1. Size:212K  inchange semiconductor
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2SK2020-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2020-01DESCRIPTIONDrain Current I = 3.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 8.1. Size:145K  fuji
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History: SSG4410N | SSG4492N | DMTH8003SPS-13

 

 
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