SFU9130 Todos los transistores

 

SFU9130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFU9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO251

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SFU9130 datasheet

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SFU9130

SFR/U9130 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.225 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

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SFU9130

SFR/U9120 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -4.9 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Lower RDS(ON) 0.444 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

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SFU9130

SFR/U9110 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -2.8 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Lower RDS(ON) 0.912 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

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