FRK250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRK250

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Tiempo de elevación (tr): 600 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRK250

FRK250 Datasheet (PDF)

..1. frk250.pdf Size:48K _intersil

FRK250D, FRK250R,FRK250H27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 27A, 200V, RDS(on) = 0.100TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

..2. frk250.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FRK250DESCRIPTION27A, 200V, RDS(on) = 0.1Second Generation Rad Hard MOSFET ResultsFrom New Design ConceptsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIt is specially designed and processed toexhibit minimal characteristic changes to total dose and neutronexposures

9.1. frk254.pdf Size:48K _intersil

FRK254D, FRK254R,FRK254H20A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 20A, 250V, RDS(on) = 0.170TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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Liste

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