FRM230 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRM230
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: TO-3
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FRM230 datasheet
frm230.pdf
FRM230D, FRM230R, FRM230H 8A, 200V, 0.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 8A, 200V, RDS(on) = 0.50 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
frm230.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM230 FEATURES 8A, 200V, RDS(on) = 0.5 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures.
frm234.pdf
FRM234D, FRM234R, FRM234H 7A, 250V, 0.70 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 7A, 250V, RDS(on) = 0.70 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
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Liste
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