SFU9220 Todos los transistores

 

SFU9220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFU9220
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFU9220

 

SFU9220 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  fairchild semi
sfr9220 sfu9220.pdf

SFU9220
SFU9220

SFR/U9220Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 1.111 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 8.1. Size:269K  fairchild semi
sfu9224 sfr9224.pdf

SFU9220
SFU9220

SFR/U9224Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) : 1.65 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 9.1. Size:309K  fairchild semi
sfu9214 sfr9214.pdf

SFU9220
SFU9220

SFR/U9214Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) : 3.15 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbs

 9.2. Size:256K  fairchild semi
sfr9210 sfu9210.pdf

SFU9220
SFU9220

SFR/U9210Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 2.084 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

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