SFU9310 Todos los transistores

 

SFU9310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFU9310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SFU9310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  fairchild semi
sfu9310 sfr9310.pdf

SFU9310
SFU9310

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 8.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -400V Low RDS(ON) : 6.000 (Typ.) 1. Gate 2. Drain 3. Source

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