TK12A50D5 Todos los transistores

 

TK12A50D5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK12A50D5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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TK12A50D5 datasheet

 ..1. Size:276K  toshiba
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TK12A50D5

TK12A50D5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK12A50D5 TK12A50D5 TK12A50D5 TK12A50D5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trrf = 50 ns (typ.), trr = 120 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) (3) High

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK12A50D5

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK12A50D5 ITK12A50D5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.5 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 6.1. Size:254K  toshiba
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TK12A50D5

TK12A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.45 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

 7.1. Size:238K  toshiba
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TK12A50D5

TK12A50W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12A50W TK12A50W TK12A50W TK12A50W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

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