HY3906P Todos los transistores

 

HY3906P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3906P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1014 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HY3906P datasheet

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HY3906P

HY3906P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested S D Reliable and Rugged G S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Mar

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HY3906P

HY3906P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application G N-Channel MOSFET Power Management for Inverter Systems. S

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HY3906P

HY3906W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D D G G (RoHS Compliant) TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N Channel MOSFET Ordering and Mar

Otros transistores... TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM , K4145 , HY3906B , HYG067N07NQ1P , HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T .

 

 

 

 

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