BSC030N03LS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC030N03LS
   Código: 030N03LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC030N03LS

BSC030N03LS Datasheet (PDF)

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bsc030n03ls .pdf

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..2. Size:382K infineon
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BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

0.1. Size:384K infineon
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5.1. Size:195K infineon
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BSC030N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 3mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8GSI 100 A 100% avalanche tested DPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product

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Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , SKD502T , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SJMN380R65MF

Liste

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